时间：2025/8/15 14:27:58
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RF3618 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，适用于高功率射频放大器应用。该器件专为在高频范围内提供高输出功率和高效率而设计，广泛用于无线基础设施、广播、工业和医疗设备等领域。
类型：GaN HEMT
频率范围：DC - 6000 MHz
最大漏极电压：28 V
连续漏极电流：100 mA
输出功率：典型值 18 W（在 2 GHz）
增益：典型值 12 dB（在 2 GHz）
效率：典型值 60%（在 2 GHz）
封装类型：陶瓷封装
RF3618 采用先进的 GaN 技术制造，提供高功率密度和高效率，使其在高功率射频应用中表现出色。
该器件具有出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
其宽带设计允许在很宽的频率范围内使用，提高了设计的灵活性。
此外，RF3618 具有良好的线性度，适用于需要高信号保真度的应用，如基站放大器和测试设备。
由于其高击穿电压和热导率，该晶体管在高功率操作条件下表现出色，并且具有较长的使用寿命。
RF3618 主要用于各种高功率射频放大系统，包括无线基站、广播发射机、工业加热设备和医疗成像系统。
它也常用于测试和测量设备，如信号发生器和频谱分析仪，以提供高功率输出。
此外，该器件适用于国防和航空航天领域的高可靠性应用，如雷达系统和通信中继设备。
由于其优异的性能，RF3618 在需要高效、高功率放大器的场合中是一个理想的选择。
CGH40010F, GaN0403S, CGH40025
