时间：2025/12/27 15:20:40
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SHR-11V-S-B 是一款由 Sekisui Chemical Co., Ltd.（积水化学）生产的高性能光敏性树脂材料，广泛应用于微机电系统（MEMS）、精密光学器件、微流控芯片以及3D微结构制造等前沿科技领域。该材料属于负性光刻胶体系，采用紫外光（UV）曝光后发生交联反应，形成稳定的三维网络结构，具有优异的分辨率、机械强度和化学稳定性。SHR-11V-S-B 特别设计用于厚膜涂覆工艺，能够实现数十微米至数百微米范围内的高深宽比结构成型，适用于需要复杂立体结构和高精度图形转移的应用场景。该材料在未曝光状态下可溶于水系显影液，具备环保优势，减少了对有机溶剂的依赖，在现代绿色制造流程中具有重要意义。其热稳定性良好，玻璃化转变温度（Tg）较高，能够在后续加工过程中保持结构完整性，适用于多层堆叠和高温工艺集成。此外，SHR-11V-S-B 具有良好的粘附性能，可在硅、玻璃、金属及多种聚合物基材上稳定附着，不易产生剥离或开裂现象。由于其出色的综合性能，该材料已被广泛应用于生物医疗芯片、光学衍射元件、传感器封装和微光学阵列等领域，是当前先进微纳加工技术中的关键功能材料之一。
类型：负性光敏树脂
曝光波长：365–405 nm（i-line兼容）
推荐曝光能量：100–300 mJ/cm2（依厚度调整）
显影方式：水系显影液（如Na2CO3溶液）
膜厚范围：10–500 μm（单层）
分辨率：可达 20 μm 线宽/间距
玻璃化转变温度（Tg）：约 180°C
热分解温度（Td）：＞300°C（氮气氛围）
粘度（25°C）：约 5000–8000 mPa·s
折射率（固化后）：约 1.52 @ 589 nm
存储条件：冷藏（2–8°C），避光保存
SHR-11V-S-B 具备卓越的光刻性能与机械稳定性，其核心优势在于高深宽比结构的精确成型能力。该材料在紫外光曝光后通过自由基聚合引发交联反应，形成高度交联的聚合物网络，赋予固化区域优异的耐化学性和机械强度。即使在极薄或极厚的涂覆条件下，也能保持均匀的曝光响应和清晰的图形边缘，有效抑制侧向曝光引起的图形失真。其低收缩率特性确保了微结构在固化过程中的尺寸稳定性，减少翘曲和应力集中问题，对于多层对准和精密装配至关重要。
该材料的水溶性显影特性显著提升了工艺环保性，避免使用传统苯系或酮类有机溶剂，降低职业暴露风险并简化废液处理流程。同时，其对多种基材表现出优良的附着力，包括硅晶圆、石英玻璃、ITO导电层及PI（聚酰亚胺）等柔性基底，适用于刚性和柔性电子器件的制造。
SHR-11V-S-B 还具备良好的介电性能和光学透明性，尤其在可见光至近红外波段具有较低的吸收损耗，适合用于制作波导、微透镜阵列和光学滤光结构。其热稳定性支持后续高温金属沉积、回流焊等工艺步骤，无需额外保护层即可直接参与器件集成。此外，材料固化后的表面粗糙度低，可通过优化工艺获得光滑界面，提升光学耦合效率和流体通道的流动性。这些综合特性使其成为高端微纳制造领域中不可替代的关键材料之一。
SHR-11V-S-B 广泛应用于需要高精度三维微结构的先进制造领域。在微流控芯片（Lab-on-a-Chip）中，常用于构建复杂的液体通道、混合器、阀门和反应腔室，其生物相容性和化学惰性确保了样品处理的安全性与可靠性。在光学器件方面，可用于制作衍射光栅、微透镜阵列、光波导和反射镜支撑结构，满足AR/VR、激光雷达和光纤通信等领域的微型化需求。
在MEMS器件制造中，该材料可作为牺牲层、绝缘层或结构层，用于传感器、执行器和加速度计的封装与集成。其厚膜成型能力特别适合制作高深宽比的电极隔离柱或电容间隙结构。此外，在半导体封装领域，SHR-11V-S-B 可用于再分布层（RDL）和凸点下置料（UBM）的构图，提升封装密度与电气性能。
该材料还被用于3D打印辅助光刻工艺，结合投影式光刻（DLP）或激光直写系统，实现复杂三维微结构的快速原型开发。在生物医学工程中，可用于制造细胞培养支架、组织工程模板和药物释放微装置。凭借其广泛的工艺兼容性和出色的物理化学性能，SHR-11V-S-B 已成为科研机构与工业界在微纳加工领域的重要选择。
