B4250CR-3.0 时间：2025/12/26 11:57:32 阅读：30

B4250CR-3.0是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件采用紧凑型DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有低电容特性，适用于高速数据线路的信号完整性保护。B4250CR-3.0专为低工作电压系统设计，标称工作电压为3.0V，适合用于便携式消费类电子产品和通信接口中。其结构由多个背对背配置的TVS二极管组成，能够双向抑制正负极性瞬态电压，提供可靠的双向保护能力。该器件符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性测试标准，广泛应用于USB接口、HDMI端口、音频线路及传感器信号线等场景。

参数

器件型号：B4250CR-3.0
　　制造商：Littelfuse
　　封装类型：DFN-6
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：3.0V
　　击穿电压（VBR）：最大3.75V（@ I_T=1mA）
　　钳位电压（Vc）：最大12V（@ Ipp=1A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Ct）：典型值0.3pF（@ f=1MHz, Vbias=0V）
　　漏电流（IR）：最大1μA（@ VRWM=3.0V）
　　极性：双向
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

B4250CR-3.0具备出色的瞬态抑制能力和极低的寄生电容，使其成为高速信号线路的理想保护元件。其核心优势在于每个通道均采用背靠背二极管结构设计，实现真正的双向过压保护，能够在正负方向上同时响应瞬态事件，有效防止因反向电压导致的电路损坏。这种结构特别适用于差分信号对或双极性逻辑电平线路。
　　该器件的寄生电容低至0.3pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入信号衰减或失真，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、MIPI、I2C、SPI等高速通信接口的ESD防护。在现代移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，这些接口极易暴露于人体接触带来的静电风险，B4250CR-3.0能在纳秒级时间内迅速导通，将高达15kV（接触放电）的ESD脉冲击穿并泄放到地，确保后级IC的安全运行。
　　此外，B4250CR-3.0具有极低的漏电流（≤1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。其DFN-6小型封装尺寸仅为1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，节省PCB空间，便于高密度布局。器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性，可在-40°C至+125°C宽温范围内稳定工作，适应严苛的工业与车载环境。整体设计兼顾性能、尺寸与能效，是现代电子系统中不可或缺的前端保护解决方案之一。

应用

B4250CR-3.0主要应用于需要高性能ESD保护的高速数字接口和低电压电路中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线以及摄像头模组的数据线保护。由于其低电容和快速响应特性，也广泛用于HDMI、DisplayPort等高清视频接口的信号线路防护，避免因插拔过程中产生的静电导致显示芯片或处理器损坏。
　　在工业自动化领域，该器件可用于保护RS-485、CAN总线、I2C、SPI等通信总线免受现场环境中常见的电气噪声和瞬态干扰影响。此外，在便携式医疗设备如血糖仪、心率监测器中，B4250CR-3.0可为传感器输入通道提供可靠保护，防止患者或操作人员带来的静电对精密模拟前端造成损伤。
　　汽车电子方面，尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键车载信息娱乐系统中仍可用于辅助接口的ESD防护，例如车载USB充电口或蓝牙模块的信号线。其小型化封装也适合空间受限的嵌入式系统使用，是消费电子、通信设备和工业控制产品中理想的多通道瞬态抑制解决方案。