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SH8M2TB1 发布时间 时间:2025/12/25 13:00:09 查看 阅读:11

SH8M2TB1并非一个广泛认知或标准化的电子元器件芯片型号。经过对主流半导体制造商的产品线、常用元器件数据库以及行业通用命名规则的核查,目前没有找到与该型号精确匹配的集成电路(IC)或分立器件。该标识可能属于以下几种情况之一:定制化或专有型号,某些特定厂商为其内部产品或为特定客户设计的非标器件,通常不会公开详细技术资料;丝印代码,许多小型封装的芯片(如SOT-23、SC-70等)在表面仅印有简短的丝印代码(Marking Code),用于标识其功能和参数,而这些代码往往只有2-4个字符,需要通过专门的丝印反查工具才能确定其真实型号;误写或拼写错误,用户提供的型号可能存在输入错误,例如字母与数字混淆(如S与5,B与8)、大小写识别不清等问题。为了准确识别该器件,建议提供更多上下文信息,例如器件的封装形式(如SOP-8、TSSOP-16等)、所在电路板的功能模块(如电源管理、信号放大、微控制器周边等)、相邻的主要芯片型号,或者提供清晰的实物照片以便进行丝印辨识。此外,检查是否有额外的字母后缀或前缀被遗漏也非常重要,因为完整的型号通常包含系列名、功能代码、温度等级、封装类型等多个部分。

参数

特性

应用

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SH8M2TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C83 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8M2TB1TR