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SH8M24TB1 发布时间 时间:2025/12/25 10:23:57 查看 阅读:17

SH8M24TB1是一款由矽力杰(Silan)推出的高效率、高集成度的同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于多种便携式设备和工业控制领域。该芯片内部集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够实现高达3A的持续输出电流,适用于将较高的直流输入电压(如5V、9V或12V)高效地转换为较低的稳定输出电压(如1.8V、3.3V或5V)。SH8M24TB1采用先进的电流模式控制架构,具备快速的瞬态响应能力和良好的负载调整率,能够在输入电压波动或负载变化时保持输出电压的稳定。此外,该芯片支持宽输入电压范围,通常在4.5V至24V之间,使其适用于多种电源系统设计。其封装形式为TO-252-5,具有良好的散热性能和较小的PCB占用面积,适合对空间要求较高的应用场景。
  SH8M24TB1内置了多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输出短路保护,有效提升了系统的可靠性和安全性。芯片还具备使能(EN)引脚,支持外部控制启停,便于实现低功耗待机模式。通过外部电阻分压网络可精确设定输出电压,灵活性高。由于其高集成度和优异的热性能,SH8M24TB1被广泛用于智能家居设备、工业自动化模块、网络通信设备以及消费类电子产品中的电源管理单元。

参数

类型:同步整流降压转换器
  拓扑结构:Buck
  输入电压范围:4.5V ~ 24V
  输出电压范围:0.8V ~ 输入电压
  最大输出电流:3A
  开关频率:典型值500kHz
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  静态电流:典型值60μA
  关机电流:小于1μA
  控制方式:电流模式PWM
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  封装形式:TO-252-5

特性

SH8M24TB1采用了先进的BCD工艺制造,结合电流模式控制环路设计,显著提升了动态响应速度与系统稳定性。在负载突变的情况下,芯片能够迅速调节占空比,维持输出电压恒定,避免因电压跌落或过冲导致后级电路工作异常。其内部集成的上管和下管MOSFET导通电阻低,减少了导通损耗,提高了整体转换效率,满载条件下效率可达95%以上。芯片支持轻载下的脉冲跳跃模式(PSM),在小电流负载时自动降低开关频率并间歇工作,大幅降低静态功耗,延长电池供电设备的续航时间。
  该器件具备完善的保护功能体系。当输出发生短路或过流故障时,芯片会启动逐周期限流机制,并在持续异常时进入打嗝模式(hiccup mode),周期性尝试重启,既防止了持续大电流损坏器件,又能在故障排除后自动恢复运行。过温保护则通过片内温度传感器实时监测结温,一旦超过安全阈值(通常约150°C),立即关闭输出,待温度下降后自动重启,确保长期工作的可靠性。EN引脚支持TTL/CMOS电平兼容,可由微控制器直接驱动,实现远程开关机或节能控制。此外,芯片具有软启动功能,防止启动瞬间产生过大浪涌电流,保护输入电源和滤波元件。
  SH8M24TB1的封装采用TO-252-5(又称DPAK-5L),底部带有大面积散热焊盘,可通过PCB敷铜有效导出热量,提升功率承受能力。无需外加散热片即可在自然对流环境下稳定输出3A电流。外部元件精简,仅需少量电感、电容即可构建完整电源方案,降低了BOM成本和设计复杂度。其高集成度和成熟的设计方案使其成为替代传统线性稳压器(如78系列)的理想选择,尤其适用于需要高效、小型化电源解决方案的应用场景。

应用

SH8M24TB1广泛应用于各类中低功率直流电源系统中。常见用途包括工业控制设备中的板载电源模块,为MCU、传感器、通信接口等提供稳定低压供电;在智能家居产品如智能门锁、温控器、照明控制系统中,用于将适配器电压转换为系统所需的工作电压。此外,该芯片也适用于网络设备如路由器、交换机的内部电源管理,以及安防监控摄像头的嵌入式电源设计。由于其宽输入电压范围和高效率特性,特别适合使用12V或24V直流总线供电的分布式电源架构。在车载电子辅助设备中,可用于将汽车电瓶电压(标称12V,实际波动较大)稳压为5V或3.3V供数字电路使用。同时,因其良好的温度适应性和可靠性,也可用于户外设备或环境条件较恶劣的工业现场。教育类电子套件和开发板中也常采用此类高性价比同步整流芯片作为主电源方案。

替代型号

SY8203BIC

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SH8M24TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)45V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A,3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8M24TB1TR