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SH8M12TB1 发布时间 时间:2025/12/25 10:55:58 查看 阅读:26

SH8M12TB1并非一个在主流电子元器件数据库或公开技术文献中广泛记录的标准芯片型号。经过对主要半导体制造商的产品目录、分销商平台(如Digi-Key, Mouser, LCSC)以及技术文档库的核查,未能找到与该型号完全匹配的集成电路或分立器件。该标识可能属于以下几种情况之一:首先,它可能是某个特定制造商或OEM厂商使用的专有型号或内部编码,这类编码通常不会在公共领域发布详细规格。其次,SH8M12TB1可能是模块、组件或封装后的子系统的编号,而非单一芯片的型号。此外,也存在型号输入错误的可能性,例如字母与数字的混淆(如将'S'误认为'5',或将'I'误认为'1'等),建议核对原始器件上的丝印是否准确无误。在没有确切制造商和完整数据手册的情况下,无法提供其电气参数、功能定义或应用场景。为了进一步确认该器件的身份,建议用户提供更多上下文信息,例如器件所在的电路板功能、周边元件型号、封装形式(如SOP、QFN等)、引脚数量以及可能的制造商线索。

参数

特性

应用

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SH8M12TB1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥3.52928卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A,4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)250pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP