SKD31/08 时间：2025/8/23 16:42:02 阅读：8

SKD31/08 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高效率电源系统。作为一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），它能够在较高的电压和电流条件下保持稳定的工作性能，是工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中常用的功率器件之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：31A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大11.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

SKD31/08 MOSFET具备多项优良的电气和热性能特性。首先，其漏源耐压（VDS）达到60V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换拓扑结构。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为11.5mΩ（典型值），显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　此外，SKD31/08的连续漏极电流额定值为31A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率密度设计。其最大功率耗散为125W，配合良好的散热设计可有效维持器件在高温下的稳定运行。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，提高了开关速度并降低了开关损耗，有助于实现高频开关应用。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至15V），便于与各种驱动电路兼容。
　　SKD31/08还具有良好的热稳定性与抗过载能力，适用于恶劣的工业环境和车载应用。其封装形式多样，包括TO-220和TO-247等标准封装，便于安装和散热管理。

应用

SKD31/08广泛应用于多种电源管理和功率控制场合。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池充电管理系统以及各类高功率密度的开关电源设备。此外，由于其良好的耐压和导通性能，该器件也适用于工业自动化控制、UPS（不间断电源）、电动车充电设备以及新能源储能系统中的功率控制模块。