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SH8M11TB1 发布时间 时间:2025/12/25 11:27:27 查看 阅读:12

SH8M11TB1是一款由芯海科技(CHIPSEA)推出的高精度信号调理芯片,主要用于压力传感器、温度传感器等微弱信号的采集与处理。该芯片集成了24位高精度Σ-Δ型模数转换器(ADC)、低噪声可编程增益放大器(PGA)、片内时钟、温度传感器以及多种数字校准功能,能够实现对传感器输出信号的高精度放大与数字化转换。SH8M11TB1广泛应用于工业控制、医疗设备、称重系统、环境监测等领域,尤其适合需要高稳定性与长期可靠性的传感器信号调理场景。
  该芯片采用SOP-8或DFN-8小型封装,工作温度范围宽,通常支持-40°C至+85°C,适用于各种恶劣工作环境。内置的校准算法支持零点校准、满量程校准及温度补偿,用户可通过简单的I2C接口进行配置和读取数据,极大地简化了系统设计流程。SH8M11TB1具备低功耗特性,适合电池供电的应用场合,同时其高集成度减少了外围元器件数量,降低了整体BOM成本和PCB面积占用。

参数

型号:SH8M11TB1
  品牌:芯海科技(CHIPSEA)
  通道数:1
  ADC分辨率:24位
  非线性误差(INL):±5 ppm FSR
  噪声峰值:≤ 30 nV RMS(增益为128时)
  可编程增益放大器(PGA):1~128倍可调
  采样速率:10 Hz~1 kSPS 可配置
  接口类型:I2C(标准/快速模式)
  工作电压:2.7 V~5.5 V
  工作电流:典型值1 mA(全功率模式),待机电流<1 μA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOP-8 / DFN-8

特性

SH8M11TB1的核心特性之一是其超高精度的24位Σ-Δ ADC架构,结合低噪声PGA,能够在极小输入信号下实现高信噪比和高动态范围。该芯片在增益为128的情况下,有效分辨率可达21位以上,确保对微伏级传感器信号的精确捕捉。其内部集成了精密参考电压源,温漂系数低至±5 ppm/°C,显著提升了测量稳定性。此外,芯片支持差分输入结构,具备良好的共模抑制能力,能有效抑制外部电磁干扰,提高系统抗干扰性能。
  另一个关键特性是内置的智能校准引擎,支持自动零点校准、灵敏度校准和温度补偿功能。用户可通过I2C接口写入校准系数,并在运行过程中实时调用这些参数进行数学修正,从而大幅提升传感器系统的长期精度和一致性。芯片还提供片内温度传感器,可用于监控环境温度并参与补偿运算,进一步优化输出准确性。
  SH8M11TB1具备灵活的电源管理模式,包括正常工作模式、低功耗待机模式和关断模式,可根据应用需求动态调整功耗状态,特别适用于便携式或远程无线传感设备。其I2C通信接口兼容性强,地址可配置,允许多个设备挂载在同一总线上,便于系统扩展。数字滤波器支持多种输出速率与抑制特性组合,如50Hz/60Hz工频干扰抑制,满足不同工业环境下的抗干扰要求。
  该芯片的设计充分考虑了EMC和ESD防护,具备高达±4kV HBM的静电放电保护能力,增强了现场使用的可靠性。所有内部模块均经过严格老化测试与温度循环验证,确保产品在全生命周期内的稳定表现。

应用

SH8M11TB1广泛应用于需要高精度模拟信号采集的各类电子系统中。在工业自动化领域,常用于压力变送器、液位传感器和称重仪表中,作为核心信号调理单元,实现对微弱桥式传感器信号的精准放大与数字化处理。在医疗健康设备中,如电子血压计、呼吸机和体外诊断仪器,该芯片凭借其低噪声、低温漂和高线性度,保障了生理参数测量的准确性与重复性。
  在消费类电子产品方面,SH8M11TB1可用于智能穿戴设备中的微型气压计或高度计,支持高精度海拔变化检测;也可用于智能家居中的空气质量监测系统,配合气体传感器实现微弱电化学信号的采集。此外,在环境监测站、气象仪器和农业物联网节点中,该芯片被用于温湿度、风速、雨量等多种传感器的数据前端处理,适应复杂户外环境下的长期稳定运行。
  由于其出色的温度稳定性和内置补偿算法,SH8M11TB1也常用于需要高温环境下工作的油田勘探设备、井下传感器模块等特殊工业场景。同时,因其小封装和低功耗特性,非常适合部署于空间受限或电池供电的无线传感网络(WSN)节点中,实现长时间无人值守的数据采集任务。

替代型号

CS1237
  HX711
  ADS1232

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SH8M11TB1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥2.50546卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)98 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.9nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)85pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP