ME2802A24M3G是一款高密度、低功耗的DDR3L SDRAM芯片,专为移动设备和其他对功耗敏感的应用而设计。该芯片采用了先进的制造工艺,在提供高性能的同时保持较低的能耗。其主要特点是支持1.35V工作电压,并具有较高的数据传输速率和容量。
ME2802A24M3G适用于需要大存储容量和高效能表现的场景,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他消费类电子产品。
类型:DDR3L SDRAM
容量:2Gb (256Mb x 8)
接口:240-ball FBGA
工作电压:1.35V
数据速率:800MT/s, 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s
封装尺寸:10mm x 14mm x 1.2mm
温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:256
ME2802A24M3G采用DDR3L技术,能够在低电压下运行,显著降低功耗,非常适合便携式电子设备。它支持多种数据传输速率,最高可达1600MT/s,确保了快速的数据交换能力。
该芯片还具备出色的稳定性和可靠性,能够在宽温范围内正常工作,适应各种复杂的工作环境。
此外,ME2802A24M3G的紧凑型FBGA封装使其更容易集成到空间受限的设计中,同时提高了系统的整体性能和效率。
在数据完整性方面,这款芯片内置了多项纠错功能,能够有效减少数据传输中的错误率,保障系统运行的稳定性。
ME2802A24M3G广泛应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的领域,包括但不限于:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备;
2. 嵌入式计算平台和工业控制系统;
3. 数字电视、机顶盒以及其他多媒体设备;
4. 网络通信设备,如路由器和交换机;
5. 医疗设备和汽车电子系统。
凭借其高效的性能和低功耗特点,该芯片是现代电子设备的理想选择。
ME2802A24M3H, ME2802A24M3J, H5TC4G63AFR-PBA