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SH8K4TB1 发布时间 时间:2025/12/25 12:47:26 查看 阅读:23

SH8K4TB1并非一个广泛认知或标准化的电子元器件芯片型号。经过对主流半导体制造商(如TI、ADI、NXP、Infineon、ST等)的产品目录以及公开的元器件数据库进行核查,未找到与该型号完全匹配的芯片。有可能是输入错误、非标准命名、定制型号(ASIC),或者是某个特定厂商内部使用的编号。此外,也存在该型号属于新型号尚未广泛收录,或是某些小型厂商生产的专用集成电路的可能性。在没有更多上下文信息的情况下,无法准确提供其技术规格和功能描述。建议用户再次确认型号的准确性,并检查是否有拼写错误。例如,是否应为类似命名规则的其他系列,如某些存储器、微控制器或电源管理芯片的变种。若此型号来源于具体设备的电路板或维修文档,可能需要结合该设备的品牌、型号及其功能模块来进一步推断其用途。

参数

特性

应用

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SH8K4TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8K4TB1TR