SH8K15TB 时间：2025/6/19 14:46:20 阅读：2

SH8K15TB是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用TO-220封装，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点，能够有效提升系统的效率和稳定性。
　　SH8K15TB属于N沟道增强型MOSFET，其工作原理是通过在栅极施加正电压来控制漏极和源极之间的导通状态。当栅源电压超过阈值电压时，MOSFET进入导通状态，电流可以从漏极流向源极；而当栅源电压为零或负值时，MOSFET处于关断状态。

参数

最大漏源电压：150V
　　最大漏极电流：16A
　　导通电阻：0.07Ω
　　栅源电压：±20V
　　功耗：180W
　　结温范围：-55℃ to 175℃

特性

SH8K15TB具备以下关键特性：
　　1. 高击穿电压：支持高达150V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
　　2. 超低导通电阻：仅为0.07Ω，降低了传导损耗，提升了系统效率。
　　3. 快速开关能力：具有较低的输入电容和输出电容，使得开关速度更快，减少了开关损耗。
　　4. 热性能优越：采用TO-220封装设计，散热性能良好，能够承受较高的功耗。
　　5. 高可靠性：经过严格的质量测试，能够在极端温度范围内稳定工作。

应用

SH8K15TB主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：
　　用于提高电源转换效率并降低热损耗。
　　2. DC-DC转换器：
　　实现高效的直流电压转换，适用于汽车电子和工业设备。
　　3. 电机驱动：
　　用于驱动小型直流电机或步进电机，提供精确的电流控制。
　　4. 逆变器：
　　用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和其他电力转换系统。
　　5. 过流保护电路：
　　作为电子开关元件，实现过载保护功能。