GS1504-CKDE3 时间：2025/8/5 2:42:17 阅读：20

GS1504-CKDE3 是一款由Vishay Siliconix制造的场效应晶体管（MOSFET），属于功率MOSFET器件。该器件设计用于高效能的功率管理应用，具有低导通电阻和高电流处理能力。GS1504-CKDE3 采用先进的沟槽技术，优化了导通损耗和开关性能，使其适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等领域。该MOSFET采用TO-252封装（也称为DPAK），具有良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）组装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

GS1504-CKDE3 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达110A，使得该器件能够承受高功率负载。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极控制能力，同时具备较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。此外，GS1504-CKDE3 的最大功耗为83W，结合其优异的热设计，使其在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装技术（SMT），便于在现代PCB设计中使用，提高了制造效率和产品可靠性。
　　GS1504-CKDE3 还具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其优异的性能使其成为DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统中的理想选择。

应用

GS1504-CKDE3 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统以及电池供电设备。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、通信电源、UPS（不间断电源）、电动车控制系统和太阳能逆变器等应用领域。