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SH8K12TB1 发布时间 时间:2025/12/25 12:41:48 查看 阅读:15

SH8K12TB1是一款由芯炽科技推出的高性能、高可靠性的电子元器件产品,主要面向工业控制、电源管理及嵌入式系统等应用领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具备优良的电气性能和稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作,适用于对环境适应性要求较高的应用场景。作为一款功能集成度较高的芯片,SH8K12TB1在设计上注重能效比与系统兼容性,支持多种通信接口和控制模式,便于系统集成商快速完成产品开发与调试。其封装形式紧凑,有助于节省PCB空间,提升整机的集成密度。此外,该器件符合RoHS环保标准,满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于官方公开资料有限,部分技术细节可能需要通过原厂数据手册或直接联系供应商获取更详尽的信息。

参数

型号:SH8K12TB1
  制造商:芯炽科技(Chipstar Technology)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  供电电压范围:3.3V ±10% 或 5V ±10%(具体以数据手册为准)
  静态电流:典型值低于5mA
  封装形式:TSSOP-16 或 QFN-16(依据具体版本)
  引脚数量:16
  工作频率:支持高达数十MHz的主频操作
  通信接口:支持I2C、SPI或UART中的一种或多种
  集成模块:可能包含ADC、DAC、PWM输出、看门狗定时器等功能模块

特性

SH8K12TB1芯片具备多项先进特性,使其在复杂电子系统中表现出色。首先,其高集成度设计将多种功能模块整合于单一芯片内,包括但不限于模拟前端处理单元、数字信号控制器以及通信接口模块,这不仅降低了外部元件的需求,还显著减少了电路板的空间占用和整体系统成本。其次,该芯片采用了低功耗架构,在保证高性能运算能力的同时实现了出色的能效表现,适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。其内置的电源管理单元支持多种工作模式(如待机、休眠、唤醒等),可根据系统负载动态调整运行状态,进一步延长设备续航时间。
  在可靠性方面,SH8K12TB1具备强大的抗干扰能力和宽温工作特性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行,适应恶劣的使用环境,例如高温车间、户外监控设备或车载电子系统。芯片内部集成了多重保护机制,包括过压保护、过流检测、热关断以及ESD静电防护(可达±4kV HBM),有效提升了系统的安全性和长期运行的稳定性。
  此外,SH8K12TB1支持灵活的可编程配置,用户可通过标准通信接口对其进行参数设置和功能定制,极大增强了其在不同应用场景中的适配能力。配合完善的开发工具链(如SDK、调试器、评估板等),工程师可以快速完成固件开发与系统验证,缩短产品上市周期。该芯片还支持在线升级(ISP)功能,便于后期维护与功能扩展。整体而言,SH8K12TB1以其高性能、高可靠性和良好的系统兼容性,成为工业自动化、智能仪表、电力监控等领域中的理想选择。

应用

SH8K12TB1广泛应用于多个工业与消费类电子领域。在工业控制系统中,该芯片常用于PLC模块、远程IO控制器、传感器信号调理单元等设备中,负责数据采集、逻辑控制与通信传输任务。凭借其稳定的运行性能和抗干扰能力,能够确保工厂自动化产线的连续高效运作。在电源管理系统中,SH8K12TB1可用于智能电源监控单元,实现对电压、电流、温度等参数的实时监测与异常报警,适用于UPS不间断电源、开关电源模块及电池管理系统(BMS)等场景。
  在嵌入式控制系统中,该芯片作为主控MCU或协处理器,被集成于智能家居网关、楼宇自控终端、环境监测设备中,执行数据处理与网络通信功能。其支持多种串行通信协议(如I2C、SPI、UART),便于与其他外围芯片进行高速互联,构建完整的物联网感知节点。此外,在医疗电子设备中,如便携式监护仪、体外诊断仪器等,SH8K12TB1因其高精度模拟采集能力和低噪声特性,可用于生理信号的前端处理与数字化转换。
  在汽车电子领域,该芯片亦可用于车载信息采集模块、车灯控制单元或辅助驾驶系统的子模块中,满足AEC-Q100基本要求的工业级版本可确保在振动、高温、电磁干扰复杂的车载环境中可靠运行。同时,其小尺寸封装有利于在空间受限的汽车ECU中布局。综上所述,SH8K12TB1凭借其多功能集成、高可靠性和广泛兼容性,已成为多个行业中关键控制与数据处理任务的核心组件。

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SH8K12TB1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥3.34230卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)250pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP