FQB13N06L 时间：2025/5/30 0:42:34 阅读：6

FQB13N06L是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用逻辑电平驱动设计，适用于低电压应用场合。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够显著提高效率并降低功耗。其额定漏源极电压为60V，连续漏极电流可达13A，适合用于各类开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压：1.2V~2.2V
　　输入电容：790pF
　　总功耗：85W
　　结温范围：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-220

特性

FQB13N06L具有非常低的导通电阻，在不同栅源电压下表现优异。例如，在Vgs=4.5V时，其Rds(on)为70mΩ；而在Vgs=10V时，Rds(on)仅为45mΩ。这使得该器件在电池供电设备中表现出色，因为即使在较低的驱动电压下也能保持高效运行。
　　此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量能力和热稳定性，能够在恶劣环境下可靠工作。快速开关速度减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　FQB13N06L还具有超低的栅极电荷和输出电荷，有助于进一步优化动态性能。

应用

FQB13N06L广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下场景：
　　- 开关模式电源（SMPS）
　　- DC-DC转换器
　　- 汽车电子系统
　　- 工业控制
　　- 电机驱动
　　- 笔记本电脑及平板充电器
　　- LED照明驱动电路
　　由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力，该器件非常适合于便携式电子产品以及需要高效功率管理的应用环境。