SH40181R8YLB 时间：2025/8/16 2:06:50 阅读：26

SH40181R8YLB是一款由Shenzhen Sinochip Electronics Co., Ltd.制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。SH40181R8YLB采用SOP-8封装形式，具备良好的热管理和电气性能，适合在中高功率密度设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：180A（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）

特性

SH40181R8YLB具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中的高效能表现，减少了导通损耗并提高了系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，提升了电流密度，同时降低了导通电阻。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高功率工作条件下保持稳定的性能。SOP-8封装设计提供了优良的散热性能，有助于在高电流应用中实现良好的热管理。SH40181R8YLB还具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而进一步提升电源转换效率。其高可靠性设计确保在各种严苛环境下均能稳定运行，适用于工业控制、电源供应器、电动车及储能系统等应用领域。

应用

SH40181R8YLB广泛应用于多种电源管理与功率控制场景。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为DC-DC转换器的理想选择，尤其是在服务器电源、通信设备电源模块以及车载电源系统中。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类负载开关电路。由于其快速开关特性，该器件也常用于高频逆变器和UPS（不间断电源）系统中。在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，SH40181R8YLB也能提供稳定可靠的功率控制解决方案。