时间：2025/4/29 16:18:47
阅读：3
SI7230DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换和负载切换应用。其封装形式为 tiny DPAK (TO-263)，具备出色的热性能，能够支持较高的电流密度。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ
栅极电荷(Qg)：8.5nC
总功耗(Ptot)：179W
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-263)
SI7230DN-T1-GE3 采用了先进的 TrenchFET 第三代工艺，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗。
2. 较小的栅极电荷 Qg，有助于提高开关效率。
3. 高额定电流能力，适合大功率应用。
4. 优化的热性能设计，便于散热管理。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 封装紧凑，节省 PCB 空间。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，具体包括：
1. DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 开关电源 (SMPS) 的高端和低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业设备中的负载切换。
5. 通信系统中的电源管理模块。
6. 汽车电子领域中的电池管理和配电单元。
7. 太阳能逆变器中的功率开关组件。
SI7446DP, IRFZ44N, FDP060N06L
