时间：2025/12/23 15:49:12
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SH31N472J251CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了整体系统效率并降低了能量损耗。
其封装形式为TO-252，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号：SH31N472J251CT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS)：40V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ
栅极电荷(Qg)：36nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-252
SH31N472J251CT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），在高负载电流下减少了功耗，提升了系统的整体效率。
2. 快速的开关速度，可以适应高频应用环境，减少开关损耗。
3. 高度可靠的热性能，确保在高温条件下也能保持稳定的运行状态。
4. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 小型化的TO-252封装，有助于缩小电路板尺寸，降低设计复杂性。
这些特点使得该MOSFET非常适合于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
SH31N472J251CT主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 各种类型的DC-DC转换器，包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器模块。
凭借其出色的电气性能和可靠性，这款MOSFET能够在众多电子系统中发挥关键作用。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP30NF06L
