P367C 时间：2025/12/27 8:49:15 阅读：16

P367C是一款由Power Integrations公司生产的高度集成的单片离线式开关IC，专为低功率电源转换应用设计。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，适用于反激式拓扑结构，广泛用于充电器、适配器以及家电辅助电源等场合。P367C采用增强型节能模式（EcoSmart?）技术，在空载或轻载条件下可显著降低功耗，满足全球最严格的能效标准，如Energy Star、DOE Level VI和EU CoC Tier 2规范。该芯片内建多项保护功能，包括过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）以及自动恢复的故障保护机制，确保系统在各种异常情况下的安全运行。此外，P367C具备频率调制功能以优化电磁干扰（EMI）性能，简化滤波设计并减少外部元件数量。其封装形式为DIP-8或SMD-8，便于手工焊接与自动化生产，同时提供良好的散热性能。得益于高度集成化设计，P367C能够实现极少的外围元器件配置，从而降低整体BOM成本并提升系统可靠性。

参数

工作电压范围：90 VAC 至 265 VAC
　　输出功率能力：典型值约 5 W
　　控制器类型：电流模式 PWM 控制器
　　集成MOSFET耐压：725 V
　　启动电流：< 5 μA
　　空载功耗：< 30 mW
　　工作频率：约 60 kHz
　　封装类型：DIP-8
　　保护功能：过温保护、过压保护、前沿消隐、自动恢复短路/过载保护
　　调制方式：频率抖动（Frequency Jittering）用于EMI优化
　　内置软启动：支持
　　反馈类型：光耦反馈（次级侧调节）
　　最大占空比：受限于内部限流和斜坡补偿设计

特性

P367C的核心优势在于其高度集成性与出色的能效表现。该芯片内部集成了一个725V的功率MOSFET，使得其可以直接连接到整流后的市电线路，无需额外的驱动电路，极大地简化了初级侧的设计复杂度。更重要的是，它采用了Power Integrations独有的多模式控制算法，能够在不同负载条件下自动切换至最优工作模式——重载时运行于准谐振（Quasi-Resonant, QR）模式以提高效率；中等负载下进入连续导通模式（CCM）保持稳定输出；而在轻载及空载状态下则转入突发模式（Burst Mode），有效降低开关损耗，实现极低的待机功耗。
　　另一个关键特性是其内置的全面保护机制。芯片具备精确的过温保护（OTP），当检测到结温超过阈值时会触发关断，并在温度下降后自动重启，避免永久性损坏。过压保护（OVP）通过监测反馈回路状态来判断输出是否异常，防止因反馈失效导致的电压失控。此外，前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术有效抑制了MOSFET开启瞬间产生的电流尖峰误触发，提升了系统的抗噪能力和稳定性。所有这些保护功能均集成于单一芯片内部，无需外加比较器或传感器，进一步减少了PCB面积和组件数量。
　　P367C还特别注重电磁兼容性（EMC）设计。通过引入频率抖动技术，即对主开关频率进行微小的随机调制，使能量分布更加均匀，避免集中在单一频点，从而显著降低传导和辐射EMI水平。这一特性允许工程师使用更小尺寸的EMI滤波器，有助于缩小电源整体体积并降低成本。同时，芯片支持光耦隔离反馈，实现精确的次级侧电压调节，确保输出精度优于±5%。结合简单的外围电路即可构建符合IEC61000-4-x系列抗扰度要求的可靠电源系统。