时间：2025/7/11 10:17:39
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SH31N470J102CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，在功率转换、电机驱动和负载切换等应用中表现出色。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装。这款器件以其高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性而著称。
型号：SH31N470J102CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：470V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：0.5Ω（在VGS=10V时）
总功耗(PD)：200W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
SH31N470J102CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压设计确保其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻降低了传导损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，使其非常适合高频应用。
4. 具备优异的热性能，能够有效管理芯片内部的热量。
5. 提供了良好的短路保护能力，增强了器件的可靠性。
6. 封装形式为标准 TO-220，易于集成到各种电路设计中。
SH31N470J102CT 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动器中的逆变桥臂元件。
3. 各类工业设备中的负载切换。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
5. 不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
6. LED照明系统的驱动电路。
7. 其他需要高压大电流开关的场合。
STP47NK10Z,
IRFZ44N,
FDP5800
