PMF63UNEX 时间：2025/9/15 0:28:55 阅读：31

PMF63UNEX 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术，适用于高效率和高频开关应用。该器件具有低导通电阻、优异的热性能和可靠性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等场景。PMF63UNEX采用紧凑型封装设计，有助于节省PCB空间，同时具备良好的电气隔离和散热能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：150A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值为2.9mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TOLL（Tape Outline Power Package）
　　封装尺寸：约11.7mm x 10.2mm x 2.3mm
　　安装方式：表面贴装

特性

PMF63UNEX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。该器件在设计上采用了优化的沟槽栅极结构，进一步减少了开关损耗，使其适用于高频操作。TOLL封装不仅提供了出色的热管理性能，还能有效减少寄生电感，提高开关速度和稳定性。
　　此外，PMF63UNEX具备高耐压能力，在VDS上可承受高达60V的电压，确保在各种电源系统中稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极抗扰能力，同时支持快速的导通与关断操作，降低开关损耗。该器件还具有良好的热稳定性，可在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适应严苛的工业环境。

应用

PMF63UNEX 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。常见的使用场景包括服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。在服务器和数据中心电源系统中，该器件可有效降低导通损耗，提高能源利用率。在DC-DC转换器中，由于其低RDS(on)和高开关频率特性，能够实现更高的转换效率和更小的体积。此外，在电动汽车和工业自动化设备中，PMF63UNEX也常用于马达控制和功率开关电路，提供稳定可靠的性能。其优异的热管理能力也使其适用于高环境温度的工业控制设备和电源模块中。