时间：2025/6/19 12:48:37
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SH31N330J501CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，属于 N 沟道增强型功率场效应管。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等场景。
这款芯片采用了先进的制造工艺，能够在较高的工作电压下提供卓越的效率和可靠性，同时具备出色的热性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：67A
导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ
总功耗(Ptot)：90W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
SH31N330J501CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 2.4mΩ），能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力（Id 达到 67A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小外部元件体积并优化整体设计。
4. 具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，保证在恶劣环境下的可靠运行。
5. 封装为 TO-247，便于散热管理，同时兼容标准印刷电路板安装方式。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种极端条件下的使用需求。
SH31N330J501CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 大功率 LED 照明驱动电路。
5. 电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制及过流保护。
6. 各类高效能 DC-DC 转换器模块。
STP36NF06L
IRF3205
FDP55N06L
