时间：2025/6/16 20:42:58
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SH31B681K500CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提升效率并减少能量损耗。
SH31B681K500CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够承受高电压，并在高频条件下表现出色，非常适合需要高效能和可靠性的电子设备。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：25nC
开关速度：40ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SH31B681K500CT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻（0.18Ω），有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能（40ns），支持高频开关操作。
4. 小封装设计，便于 PCB 布局和空间优化。
5. 稳定的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应多种极端条件下的使用需求。
6. 极低的栅极电荷（25nC），有助于降低驱动功耗并提高整体效率。
SH31B681K500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) - 提供高效的功率转换。
2. DC-DC 转换器 - 实现稳定的直流电压输出。
3. 电机驱动 - 控制电机的启动、停止和速度调节。
4. 工业自动化设备 - 在工业级产品中提供可靠的功率控制。
5. 电动工具 - 支持高效功率传输与控制。
6. 太阳能逆变器 - 提升能源转换效率。
IRFP460,
STP50NF5G,
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IXFH50N50P
