时间：2025/5/7 14:43:11
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BSC096N10LS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能电源管理应用。
这种 MOSFET 主要适用于工业和汽车领域，提供出色的热性能和电气性能，同时封装形式为 TO-Leadless（TOLL），有助于实现紧凑的系统设计。
型号：BSC096N10LS5
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：100V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：9.6mΩ
IDS（连续漏极电流）：128A
功耗：317W
栅极电荷（Qg）：45nC
开关损耗：低
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：TO-Leadless (TOLL)
绝缘耐压：1500Vrms
BSC096N10LS5 的主要特点是其低 RDS(on) 值仅为 9.6mΩ，从而显著减少了传导损耗。此外，它还具备以下优点：
- 高效的 TRENCHSTOP? 技术使器件在高频开关应用中表现出色。
- 极低的栅极电荷（45nC）确保了快速的开关速度，降低了开关损耗。
- 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应恶劣环境。
- 采用 TO-Leadless 封装，提升了功率密度并优化了 PCB 空间利用率。
- 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
- 具有较高的雪崩能力和鲁棒性，可提升系统可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于多种高效率、高功率密度的场景，包括但不限于以下领域：
- DC-DC 转换器中的同步整流
- 电机驱动电路
- 开关电源（SMPS）
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电设备
- 工业自动化和控制系统的功率级模块
BSC096N10LS5 的高性能和高可靠性使其成为许多大功率转换和驱动应用的理想选择。
BSC100N10LS5
BSC085N10LS5
IRFB4110TRPBF
FDP15U10A
