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R5007FNX 发布时间 时间:2025/11/8 9:28:17 查看 阅读:7

R5007FNX是一款由理光(Ricoh)公司生产的高精度、低功耗电压检测器芯片,广泛应用于需要精确监控电源电压的电子系统中。该器件属于R152x系列电压监控IC的一部分,采用先进的CMOS技术制造,具有极低的静态电流消耗,非常适合电池供电设备或对功耗有严格要求的应用场景。R5007FNX的主要功能是监测外部电源电压,并在电压低于预设阈值时输出一个复位信号,从而确保微控制器或其他数字逻辑电路在电源不稳定或上电/掉电过程中能够可靠复位,避免误操作或数据损坏。该芯片内置了高精度的电压参考源和比较器电路,具备出色的温度稳定性和长期可靠性。其输出形式为N沟道开漏输出(Open Drain),需要外接上拉电阻以实现逻辑高电平输出。R5007FNX采用小型化的DFN(Dual Flat No-lead)封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局,常用于便携式设备、工业控制模块、消费类电子产品以及嵌入式系统中。此外,该器件工作电压范围宽,支持多种电池类型供电,具备良好的抗噪声能力和EMI稳定性,能够在复杂电磁环境中稳定运行。

参数

型号:R5007FNX
  制造商:Ricoh(理光)
  产品系列:R152x
  工作电压范围:0.7V ~ 6.0V
  复位阈值电压:根据具体后缀不同可选,典型值如2.31V、2.93V、3.08V、4.46V等
  阈值精度:±1.0%(在整个工作温度范围内)
  输出类型:N沟道开漏输出
  静态电流:典型值为0.45μA(@ VDD = 3V)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN(PLP) 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm,6引脚
  复位延迟时间:可通过外部电容调节或内部固定(取决于具体型号配置)
  输出驱动能力:支持最大灌电流约10mA(需参考数据手册确认)

特性

R5007FNX的核心特性之一是其超低功耗设计,静态电流仅为0.45μA左右,这使得它特别适用于由纽扣电池或可充电锂电池长期供电的设备,例如智能传感器节点、无线通信模块和可穿戴设备。这种极低的电流消耗不会显著影响系统的整体续航时间,同时又能提供持续的电源监控功能。
  另一个关键特性是其高精度电压检测能力,复位阈值精度可达±1.0%,即使在-40°C至+85°C的宽温范围内也能保持稳定的性能表现。这意味着系统可以在各种环境条件下准确判断电源状态,防止因电压波动导致的误复位或漏检现象。该芯片内部集成了精密带隙基准源和高速比较器,响应速度快,能够在电源跌落时迅速触发复位信号,保障系统的安全启动与关闭。
  R5007FNX采用N沟道开漏输出结构,允许用户灵活地将复位信号连接到不同电平的逻辑系统中,只需外接合适的上拉电阻即可兼容1.8V、3.3V或5V逻辑电平。这种设计增强了其在多电压域系统中的适应性。此外,部分型号支持通过外部电容设定复位延时时间,使系统有足够的启动时间完成初始化,避免过早解除复位而导致程序跑飞。
  该器件还具备良好的抗干扰能力,输入端具有内置滤波机制,能有效抑制瞬态噪声引起的误触发。其DFN小型封装不仅节省PCB空间,而且具有较好的热性能和机械强度,适合自动化贴片生产。总体而言,R5007FNX是一款高性能、高可靠性的电压监控IC,在稳定性、功耗和集成度之间实现了良好平衡。

应用

R5007FNX广泛应用于各类需要电源监控和系统复位管理的电子设备中。在便携式电子产品中,如智能手表、健康监测仪、TWS耳机等,它用于监测电池电压并在电量不足时触发复位或关机保护,延长电池寿命并提升用户体验。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC模块、远程IO单元或传感器前端,确保微处理器在电源异常时能够安全重启,避免程序失控或数据丢失。
  在汽车电子领域,尽管其工作温度上限为+85°C,限制了高温环境下的使用,但仍可用于车载信息娱乐系统的辅助电源监控或车内低功耗控制模块中。在消费类电子产品如智能家居设备、无线路由器、IoT网关中,R5007FNX帮助实现可靠的上电复位(Power-On Reset, POR)和低压检测(Brown-Out Detection, BOD)功能,提升系统稳定性。
  此外,由于其小型化封装和低功耗特性,该芯片也常见于医疗电子设备、计量仪表和安防监控终端中,特别是在那些依赖电池长期运行且无人值守的应用场景下。它可以与其他电源管理芯片协同工作,构成完整的电源管理系统,确保整个设备在各种供电条件下都能稳定运行。其高精度和高可靠性使其成为现代嵌入式系统中不可或缺的关键元件之一。

替代型号

R1520N23CA-FE-R
  R1520N29CA-FE-R
  R1520N30CA-FE-R
  R1520N45CA-FE-R
  XC6152B23MR-G
  XC6152B29MR-G
  MAX811TEUS-T

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R5007FNX参数

  • 现有数量222现货
  • 价格1 : ¥13.67000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.3 欧姆 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)40W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 封装/外壳TO-220-3 整包