时间：2025/6/22 6:58:47
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SH31B681K202CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供出色的效率和可靠性。
型号：SH31B681K202CT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.2Ω
功耗(PD)：270W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SH31B681K202CT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：650V 的最大漏源电压使其适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：Rds(on)为0.2Ω，有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能：优化的内部结构设计，减少开关时间并提高工作效率。
4. 强大的过流保护功能：能够承受瞬时大电流冲击，增强系统稳定性。
5. 宽工作温度范围：从-55°C到+150°C，适应各种极端环境条件。
6. 小型化封装设计：节省电路板空间，便于高密度布局。
SH31B681K202CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电动机控制。
3. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服系统。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)：电池管理系统(BMS)及逆变器模块。
5. 照明电子镇流器和LED驱动器：提供高效可靠的功率控制解决方案。
IRFP460, STP17NS60, FQA14P65E
