时间：2025/6/21 17:30:50
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SH31B474K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用。
型号：SH31B474K100CT
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源电压）：100V
RDS(on)（导通电阻）：4.7mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：55nC
EAS（雪崩能量）：2.4J
fT（特征频率）：1.6MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SH31B474K100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路和其他高频应用场景。
3. 高电流承载能力，使其非常适合于大功率应用，如工业电机驱动和电动汽车。
4. 内置 ESD 保护功能，增强器件在实际应用中的抗静电能力。
5. 高雪崩能量耐受能力，确保器件在异常条件下仍能保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该功率 MOSFET 广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
2. 工业自动化设备中的电机控制模块。
3. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
4. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换。
5. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
6. 电信设备中用于电源管理和信号调节。
IRFZ44N, FDP150N10SBD, STP80NF10
