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SH31B223K631CT 发布时间 时间:2025/7/2 17:57:14 查看 阅读:48

SH31B223K631CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
  其封装形式为 TO-220,适合高功率密度的应用场景,能够满足工业级和消费级市场的多样化需求。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:0.12Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  功耗:200W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SH31B223K631CT 具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻设计,有效降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关性能,减少开关损耗并优化高频应用表现。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的耐受能力。
  4. 热稳定性优异,在高温环境下仍能保持良好的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持长期使用需求。
  6. 封装坚固耐用,便于散热管理及表面贴装或插件安装。

应用

这款功率 MOSFET 主要适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激拓扑结构。
  3. 电机驱动电路,例如无刷直流电机控制器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。

替代型号

IRF840,
  FQP22N65,
  STP22NM65,
  IXTH22N65L,
  FDP17N65

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SH31B223K631CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.41443卷带(TR)
  • 系列SH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压,软端接
  • 等级-
  • 应用Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-