时间：2025/7/2 17:57:14
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SH31B223K631CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。
其封装形式为 TO-220，适合高功率密度的应用场景，能够满足工业级和消费级市场的多样化需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：22A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SH31B223K631CT 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗，提升整体效率。
2. 快速开关性能，减少开关损耗并优化高频应用表现。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的耐受能力。
4. 热稳定性优异，在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持长期使用需求。
6. 封装坚固耐用，便于散热管理及表面贴装或插件安装。
这款功率 MOSFET 主要适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压、升压和反激拓扑结构。
3. 电机驱动电路，例如无刷直流电机控制器。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
IRF840,
FQP22N65,
STP22NM65,
IXTH22N65L,
FDP17N65
