时间：2025/7/10 3:13:27
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SH31B222K631CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效提升系统的效率和稳定性。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛适用于需要高效能和低损耗的应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：22A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-247
SH31B222K631CT 的关键特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，仅为 0.18Ω，可显著降低传导损耗。
2. 高击穿电压 (650V)，适合高压应用环境。
3. 支持高达 22A 的连续漏极电流，满足大功率需求。
4. 快速开关速度，减少开关损耗。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度范围内正常工作。
6. 封装为 TO-247，提供优秀的散热性能。
这些特性使得 SH31B222K631CT 成为高功率密度和高效率应用的理想选择。
SH31B222K631CT 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器和工业电源。
2. 电机驱动，例如家用电器中的无刷直流电机控制。
3. DC-DC 转换器，用于汽车电子和通信设备中。
4. 太阳能逆变器及储能系统。
5. LED 驱动器和其他需要高效率转换的应用。
其高耐压和大电流承载能力使其在多种工业和消费类电子产品中表现出色。
IRFP460, STP22NF65, FQA22N65S
