时间：2025/9/14 16:24:18
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PSMN3R3-80BS,118 是恩智浦（NXP）推出的一款高性能功率MOSFET，属于TrenchMOS技术系列。该器件采用先进的沟槽式设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性，适用于需要高效能功率转换的应用场景。PSMN3R3-80BS,118 采用LFPAK56（Power-SO8）封装，提供优异的热性能和电流承载能力，是一款广泛应用于汽车电子、电源管理和工业控制领域的MOSFET。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
漏极电流（ID）：90A
导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：72nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN3R3-80BS,118 采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其导通电阻典型值为3.3mΩ，确保在大电流应用中保持较低的功率损耗。
该器件的封装形式为LFPAK56（Power-SO8），具备优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作，并提供良好的散热能力。LFPAK56封装还支持双面散热，进一步增强器件的热稳定性。
PSMN3R3-80BS,118 的最大漏极电流可达90A，在高功率密度设计中表现出色，适用于高负载条件下的开关应用。其栅极电荷（Qg）为72nC，支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高整体效率。
此外，该MOSFET具有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），适用于严苛的工业和汽车环境。其高可靠性和耐久性使其在长时间运行和高负载条件下仍能保持稳定性能。
PSMN3R3-80BS,118 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。在汽车电子领域，该器件常用于车载电源管理系统、电机驱动控制器和DC-DC转换器，提供高效能功率转换和稳定性能。
在电源管理方面，PSMN3R3-80BS,118 适用于同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及高效率的开关电源（SMPS）设计。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换的理想选择。
工业控制方面，该MOSFET可用于电机驱动、工业自动化设备和伺服控制系统，提供可靠的功率开关功能。其优异的热管理和高耐久性使其在连续运行和高负载环境下表现优异。
此外，PSMN3R3-80BS,118 也可用于新能源设备，如太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块，为这些应用提供高效率和高可靠性的功率解决方案。
SiHH100N8-80BS,118, PSMN5R8-80BS,118, BSC080N08NS5, INFET110N8NS
