SH31B222K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关条件下保持稳定的性能。
SH31B222K100CT 的封装形式为 TO-220,适合表面贴装和插件安装,便于在工业和消费电子领域中的应用。
型号:SH31B222K100CT
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):2.2mΩ
ID(连续漏极电流):100A
VGS(th)(栅极开启电压):2V~4V
f(max)(最大工作频率):500kHz
功耗:200W
封装:TO-220
SH31B222K100CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够显著降低导通损耗,提升系统效率。
2. 支持高频开关操作,适合现代高效能开关电源设计。
3. 内置 ESD 保护电路,增强器件的抗静电能力。
4. 高可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
5. 热阻较低,有助于提高散热性能,减少温升对器件寿命的影响。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计,适用于绿色电子产品。
SH31B222K100CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 设计,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动控制,用于电动车、家用电器等领域的电机驱动。
3. DC-DC 转换器,用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
4. UPS 不间断电源系统,提供可靠的后备电力支持。
5. LED 驱动器,实现高效且稳定的照明解决方案。
6. 工业自动化设备,如伺服驱动器和逆变器等需要大功率处理的应用场景。
IRF2708PBF, FDP5580NL