时间：2025/7/3 21:45:38
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SH31B222K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频开关条件下保持稳定的性能。
SH31B222K100CT 的封装形式为 TO-220，适合表面贴装和插件安装，便于在工业和消费电子领域中的应用。
型号：SH31B222K100CT
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.2mΩ
ID（连续漏极电流）：100A
VGS(th)（栅极开启电压）：2V~4V
f(max)（最大工作频率）：500kHz
功耗：200W
封装：TO-220
SH31B222K100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 支持高频开关操作，适合现代高效能开关电源设计。
3. 内置 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
4. 高可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
5. 热阻较低，有助于提高散热性能，减少温升对器件寿命的影响。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适用于绿色电子产品。
SH31B222K100CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 设计，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动控制，用于电动车、家用电器等领域的电机驱动。
3. DC-DC 转换器，用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
4. UPS 不间断电源系统，提供可靠的后备电力支持。
5. LED 驱动器，实现高效且稳定的照明解决方案。
6. 工业自动化设备，如伺服驱动器和逆变器等需要大功率处理的应用场景。
IRF2708PBF, FDP5580NL
