类型：齐纳二极管
　　标称稳压电压：12V
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SC-76）
　　引脚数：2
　　最大反向漏电流（VR）：100nA @ 10V
　　测试电流：5mA
　　动态阻抗（Zzt）：10Ω @ 5mA
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

ZMM55B12T/R7 齐纳二极管具有多项优异特性，适用于高精度和高稳定性的电压参考应用。
　　首先，其稳压电压为12V，容差为±2%，能够提供非常精确的电压基准，适合用于高精度模拟电路和电源管理系统。
　　其次，该器件的动态阻抗非常低，典型值为10Ω，在5mA测试电流下表现出良好的稳压性能，有助于减小电压波动和噪声，提高电路稳定性。
　　此外，ZMM55B12T/R7 具有低反向漏电流特性，在10V反向电压下的最大漏电流为100nA，确保在低功耗和高阻抗电路中不会造成显著误差。
　　该器件采用SOD-323封装，体积小巧，适合表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产和高密度PCB布局。
　　ZMM55B12T/R7 的最大耗散功率为300mW，在标准工作条件下可满足大多数应用需求。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　该稳压二极管还具有良好的温度系数，能够在宽温度范围内保持稳定的电压输出，适用于需要长期可靠运行的系统，如工业控制、传感器模块和电源适配器。

ZMM55B12T/R7 主要应用于需要稳定12V参考电压的电子电路中。常见的应用包括：精密电压基准源、电源监控电路、电池管理系统、DC-DC转换器、模拟-数字转换器（ADC）参考电压源、运算放大器偏置电路、测试和测量设备、汽车电子控制系统以及工业自动化设备。
　　由于其低动态阻抗和良好的温度稳定性，该器件特别适用于高精度模拟前端（AFE）和传感器信号调理电路，能够有效提高测量精度和系统稳定性。
　　在电源管理应用中，ZMM55B12T/R7 可用于构建过压保护电路、电压监控电路和稳压电源参考源，确保系统在各种工作条件下保持稳定运行。
　　在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、车载诊断系统（OBD）、电池管理系统（BMS）等，满足AEC-Q101标准的可靠性要求。

ZMM55B12
　　ZMM12B
　　BZX84C12
　　MAZ55B12