时间：2025/7/4 0:31:57
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SH31B221K102CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于高频开关应用场合。其优化的封装设计确保了良好的散热性能，并且具备较高的耐用性和可靠性。
型号：SH31B221K102CT
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5mΩ
Id（连续漏极电流）：140A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：80nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
fSW（推荐开关频率）：500kHz
封装：TO-247
SH31B221K102CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用需求。
3. 优化的开关性能，适合高频应用场景。
4. 较高的雪崩能量等级，提升了器件在异常情况下的耐受能力。
5. 封装形式具备良好的热传导性能，可以快速散发热量，保证长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级及汽车级应用。
SH31B221K102CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如PC电源、适配器等。
2. 电机驱动，例如电动车窗、电动座椅中的电机控制。
3. DC-DC转换器，在汽车电子和工业设备中作为核心功率转换元件。
4. 太阳能逆变器，用于太阳能发电系统中的功率调节。
5. UPS不间断电源，为关键负载提供可靠的备用供电。
6. 各类需要高效功率开关的应用场景。
IRFP2907PBF
FDP17N60E
STW45N10NM5
