时间：2025/8/6 22:57:36
阅读：24
SH30274R7YLB 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的电源管理应用。该器件是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等场景。该器件采用先进的沟槽技术，以优化导通损耗和开关性能，同时具有较高的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：30A
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：7.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
功耗（Pd）：3.5W
栅极电荷（Qg）：20nC（典型值）
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：30V
SH30274R7YLB 具备多项优异的电气和热性能，使其适用于高效率电源转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有良好的散热性能，可在高电流条件下稳定运行。此外，SH30274R7YLB 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体功率转换效率。该器件还具备较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于高功率密度设计。此外，其增强型结构确保了在关闭状态下具有较高的阻断能力，避免了不必要的漏电流问题。最后，SH30274R7YLB 的设计兼容标准栅极驱动电压（如 10V），便于集成到各种电源管理系统中。
SH30274R7YLB 广泛应用于各类高效率电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备中的功率控制模块。由于其具备低导通电阻和良好的热管理性能，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统，例如笔记本电脑、服务器电源、通信设备以及工业自动化控制系统。
SiR340DP-T1-GE3, SQJQ134EP-T1_GE3, FDS6680, IRF7413PBF
