类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：1400V
　　最大漏极电流(ID)：12A（在25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为2.7Ω
　　最大功耗(PD)：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　栅极阈值电压(VGS(th))：3V ~ 5V
　　最大栅极电压(VGS)：±30V
　　封装形式：TO-247

SH275-14 MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其漏源耐压高达1400V，使其适用于高压应用环境，如光伏逆变器、工业电源和高电压DC-DC转换器。其次，该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，SH275-14具备良好的热稳定性，TO-247封装提供了较大的散热面积，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的温度表现。
　　在开关特性方面，SH275-14具有快速的开关响应能力，开关损耗低，适用于高频开关电源设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在过压或短路情况下保持较高的可靠性，减少因瞬态电压引起的损坏风险。
　　SH275-14还具有较强的抗干扰能力和良好的长期稳定性，适用于工业级应用环境。其封装材料和内部结构设计能够有效防止湿气和温度变化带来的影响，从而延长器件的使用寿命。

SH275-14 MOSFET主要应用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）、逆变器、太阳能光伏系统、电机驱动和高压DC-DC转换器。其高耐压特性和良好的导通性能使其在高压转换器和电池管理系统中表现出色。此外，该器件也可用于工业控制设备、UPS不间断电源系统以及高功率LED照明驱动电路。在电动汽车和储能系统中，SH275-14也可用于高压电路的开关控制，确保系统的高效运行。

STF12N140K、IXFH12N140、IRFHV120