时间：2025/6/16 20:45:54
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SH21N102J101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合各种工业和消费类电子产品中的功率管理电路。
这款 MOSFET 以其卓越的电气特性和可靠性在市场中广受好评，能够有效提升电源效率并减少系统功耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
SH21N102J101CT 的主要特性包括低导通电阻，可降低功率损耗，提高整体效率；具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，并允许在更高频率下运行；同时具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定性能。
此外，该器件采用了小型化封装设计，方便 PCB 布局，同时节省空间。它还支持宽泛的工作温度范围，使其在极端环境条件下依然可靠。
SH21N102J101CT 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统等场景。
在消费电子领域，它可以用于笔记本电脑适配器、手机充电器和 LED 驱动电路。在工业领域，该 MOSFET 可用于工业自动化设备、电动工具以及通信电源模块中，提供高效的功率控制解决方案。
STP16NF06, IRFZ44N
