时间：2025/6/22 6:58:35
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SH21N100J201CT 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适用于多种需要高效能功率转换的场合。
该型号属于 Toshiba 的 Advanced Power MOSFET 系列，主要针对工业及消费类电子应用设计，例如开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率管理电路。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：74nC
开关时间：典型值开启时间 18ns，关闭时间 28ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SH21N100J201CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关性能，适合高频应用，减少开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管，优化了同步整流和续流路径中的表现。
5. 采用 TO-247 封装，提供良好的散热性能和机械稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这些特性使 SH21N100J201CT 成为高性能功率转换电路的理想选择。
SH21N100J201CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率调节设备。
5. 电池充电器和储能系统的功率级元件。
6. 各种负载开关和保护电路。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，这款 MOSFET 特别适合需要高效功率转换和大电流承载的应用场景。
IPW60R019P7, IRF540N
