时间：2025/7/9 16:45:33
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SH21B681K501CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合于需要高效能和可靠性的应用场合。
其封装形式为TO-220，能够提供良好的散热性能，适用于大功率场景下的工作需求。
型号：SH21B681K501CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：170W
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-220
SH21B681K501CT 具有以下主要特性：
1. 高效低阻：导通电阻仅为1.3mΩ，有助于降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关：具有较低的栅极电荷和输出电荷，使得器件能够实现快速开关操作，减少开关损耗。
3. 高可靠性：经过严格测试和筛选，确保器件在各种恶劣环境下都能稳定运行。
4. 良好的热性能：采用TO-220封装，具有较大的散热面积，有效提高器件的散热能力。
5. 宽工作温度范围：能够在-55℃至+150℃的结温范围内正常工作，适应多种应用场景。
SH21B681K501CT 的典型应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：
- DC-DC转换器
- AC-DC适配器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 电池管理系统（BMS）：
- 电池充放电保护
- 电池均衡电路
4. 工业自动化：
- 继电器替代
- 固态继电器
此外，该器件还适用于其他需要高效功率切换的应用场景。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5500
