时间：2025/6/19 12:50:11
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SH21B473K101CT 是一款高性能的 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），适用于多种电源管理和信号切换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式通常为表面贴装类型，适合自动化生产流程。
该 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：开启时间 15ns / 关断时间 18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
SH21B473K101CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，非常适合 DC-DC 转换器和开关电源等应用。
3. 高度的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
4. 优秀的电气性能和机械强度，确保长寿命和高可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，满足现代电子产品对环境的要求。
这款 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动和逆变器电路。
5. 各种负载切换和保护电路。
6. 工业设备中的电源管理单元。
7. 消费类电子产品中的高效功率控制方案。
IRFZ44N
STP25NF06L
FDP5500
