GRT21BR61A335KE13L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低能耗并提升系统效率。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式通常为行业标准封装,便于在各种电路设计中使用。通过优化的沟道结构和封装设计,GRT21BR61A335KE13L 在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:60V
额定电流:33A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:38nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
GRT21BR61A335KE13L 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少功率损耗,特别适合大电流应用场景。
2. 快速开关能力,使得它适用于高频开关电源和电机控制应用。
3. 高雪崩能量承受能力,确保在异常工作条件下也能保持稳定。
4. 支持宽泛的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
5. 具备优异的热性能,有助于延长器件的使用寿命。
GRT21BR61A335KE13L 可应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. DC/DC 转换器中的功率级开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 各类保护电路中的电子开关组件。
GRT21BR61A335KE12L, GRT21BR61A335KE14L