时间：2025/7/1 16:04:52
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GRT21BR61A335KE13L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低能耗并提升系统效率。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为行业标准封装，便于在各种电路设计中使用。通过优化的沟道结构和封装设计，GRT21BR61A335KE13L 在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：60V
额定电流：33A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GRT21BR61A335KE13L 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗，特别适合大电流应用场景。
2. 快速开关能力，使得它适用于高频开关电源和电机控制应用。
3. 高雪崩能量承受能力，确保在异常工作条件下也能保持稳定。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应极端环境下的使用需求。
5. 具备优异的热性能，有助于延长器件的使用寿命。
GRT21BR61A335KE13L 可应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. DC/DC 转换器中的功率级开关元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 各类保护电路中的电子开关组件。
GRT21BR61A335KE12L, GRT21BR61A335KE14L
