时间：2025/6/26 0:19:37
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SH21B333K100CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于多种开关和电源管理应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。这款MOSFET通过优化的设计降低了开关损耗，同时提高了系统的整体效率。
SH21B333K100CT为N沟道增强型场效应晶体管，其工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源电压。这使得它在高压电路中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：33A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2000pF
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
SH21B333K100CT具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达100V的工作电压，确保在复杂电路环境中的稳定性。
2. 极低的导通电阻（2.5mΩ），减少了导通时的功率损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷，使其适合高频开关应用。
4. 强大的散热性能，允许连续漏极电流高达33A，满足高功率需求。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境条件。
6. TO-220封装形式，便于安装和集成到现有设计中。
SH21B333K100CT广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机控制
- 步进电机控制
3. 工业自动化设备：
- 可编程逻辑控制器（PLC）
- 工业机器人
4. 汽车电子：
- 车载充电器
- 电动车窗和座椅调节系统
5. 照明系统：
- LED驱动器
- 智能调光控制
IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06
