时间：2025/6/19 5:25:56
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SH21B331K250CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升电路效率并降低功耗。
该型号属于肖特基功率MOSFET系列，适用于需要快速开关和低损耗的场景。其设计使其在高频工作条件下仍能保持优异的性能表现。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：33A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
SH21B331K250CT的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。它具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，确保其在高压环境下的稳定运行。
其快速开关速度使得该晶体管非常适合高频应用场合，同时它的热稳定性也使其能够在较宽的工作温度范围内正常工作。通过优化的设计，SH21B331K250CT还提供了较高的浪涌电流承受能力，从而增强了产品的耐用性。
另外，该产品符合RoHS标准，满足环保要求。
SH21B331K250CT广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 充电器和适配器设计。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
由于其高可靠性和卓越性能，该器件成为许多高性能需求应用的理想选择。
IRF840,
STP30NF10,
FDP16N25,
IXTP15N25P
