时间：2025/6/19 5:24:45
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SH21B224K100CT 是一款高速、低功耗的 SRAM（静态随机存取存储器）芯片，主要用于需要高数据吞吐量和快速响应的应用场景。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具有出色的性能和可靠性，适合在工业控制、通信设备以及消费类电子产品中使用。
这款 SRAM 提供了 2M x 18 的存储容量配置，支持快速读写操作，并且具备较低的功耗特性，能够在多种工作环境下稳定运行。
存储容量：2M x 18 (36Mb)
数据宽度：18位
访问时间：10ns
供电电压：3.3V
工作电流：25mA（典型值）
待机电流：5μA（典型值）
封装类型：TQFP-100
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步
SH21B224K100CT 具有以下显著特点：
1. 高速访问能力：其 10ns 的访问时间能够满足对实时性要求较高的应用需求。
2. 节能设计：芯片采用低功耗架构，在确保高性能的同时降低了能耗。
3. 可靠性高：具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围，适应各种复杂环境。
4. 简化系统设计：通过同步接口和易于使用的命令集，减少了外部逻辑的需求。
5. 容量适中：36Mb 的存储容量非常适合用于嵌入式系统的缓存或临时数据存储功能。
6. 封装紧凑：TQFP-100 封装形式使得该芯片可以方便地集成到空间有限的设计中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化控制系统中的缓存和临时数据存储。
2. 通信设备如路由器、交换机等，用于快速数据处理。
3. 消费类电子产品，例如打印机、扫描仪等，提供图像处理所需的内存资源。
4. 医疗仪器中的高速数据缓冲区。
5. 嵌入式系统中作为主处理器的外部扩展存储器使用。
SH21B224K100CTN, AS21B224K100CT
