时间：2025/5/9 11:32:56
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VI-RAM-M2是一种非易失性存储器芯片，基于铁电随机存取存储器（FeRAM）技术。该芯片能够在断电后保存数据，并具有高速读写能力、低功耗和高耐用性的特点。VI-RAM-M2通常用于需要快速数据记录以及对掉电数据保护有严格要求的应用场景。
FeRAM技术结合了传统RAM的高速性能与闪存的非易失特性，使其在工业控制、汽车电子和医疗设备领域中广泛应用。
容量：2Mb
接口：SPI
工作电压：1.8V至3.6V
工作温度：-40℃至+85℃
封装形式：SOP-8, TSSOP-8
数据保持时间：10年
擦写寿命：10^12 次
VI-RAM-M2的主要特性包括以下几点：
1. 高速读写能力，典型存取时间为70ns，远快于传统的EEPROM或闪存。
2. 非易失性数据存储功能，在电源中断时仍能可靠保存数据。
3. 超过1万亿次的擦写周期，适合频繁更新数据的环境。
4. 低功耗设计，尤其在待机模式下的静态电流极低，适用于电池供电设备。
5. 支持宽范围的工作电压，增强了其在不同应用中的兼容性。
6. SPI接口简化了与微控制器或其他系统组件的连接过程。
VI-RAM-M2适用于多种需要高性能非易失性存储的场合，例如：
1. 工业自动化中的数据日志记录。
2. 汽车电子模块的数据存储，如事件记录仪和传感器校准信息。
3. 医疗设备中关键参数的实时存储。
4. 消费类电子产品中用户设置和状态信息的保存。
5. 仪表设备中的配置文件和测量结果的备份。
由于其出色的耐用性和可靠性，VI-RAM-M2成为许多苛刻环境中理想的选择。
MB85RC2MT-SPI, FM25L16B, CAT24C02
