时间：2025/6/16 20:44:08
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SH21B222K631CT 是一款高性能的 CMOS 工艺静态随机存取存储器（SRAM），由 Cypress Semiconductor 公司生产。该器件具有高速度、低功耗和高可靠性的特点，适用于需要快速数据访问的各种工业和商业应用。
该芯片采用 44 引脚 TSOP 封装，工作电压范围为 1.7V 至 1.9V，并支持多种系统架构中的数据缓存和临时存储需求。
容量：2Mbit
组织结构：262,144 x 8
供电电压(Vcc)：1.7V 至 1.9V
工作电流：25mA（典型值）
待机电流：1μA（最大值）
访问时间：10ns（最大值）
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数量：44
SH21B222K631CT 提供了出色的性能与稳定性，其主要特性如下：
1. 高速操作：可实现 10 纳秒的快速访问时间，适合对速度要求较高的应用场景。
2. 超低功耗：在运行模式下的典型功耗仅为几毫安，在待机模式下更是降低至微安级别。
3. 静态设计：无需刷新电路，简化了系统设计并提高了可靠性。
4. 单电源供电：支持 1.7V 到 1.9V 的低电压工作范围，非常适合便携式设备。
5. 全 CMOS 工艺：确保了更低的功耗以及更高的集成度。
6. 高抗干扰能力：内置保护机制以防止数据丢失或损坏。
SH21B222K631CT 广泛应用于各种需要快速数据读写及稳定存储的领域，包括但不限于：
1. 通信设备：如路由器、交换机等网络设备的数据缓冲。
2. 嵌入式系统：用作处理器或控制器的外部存储扩展。
3. 工业控制：在实时控制系统中提供高效的数据存储解决方案。
4. 消费类电子产品：例如数码相机、打印机和其他需要临时存储功能的产品。
5. 医疗仪器：支持高性能医疗监测和诊断设备中的数据处理需求。
CY62118EV30SI, AS6C1024-55PCN, IS61WV25616BLL-12T
