SEHC23FP24V1UB是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在效率和可靠性方面表现出色,能够有效降低导通损耗和开关损耗,从而提升整体系统性能。
这款器件支持高频率操作,并且具有低导通电阻的特点,非常适合需要高效能和低功耗的应用场景。
型号:SEHC23FP24V1UB
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压(Vds):24V
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
最大漏极电流(Id):160A(脉冲)
栅极电荷(Qg):35nC(典型值)
总功耗(Ptot):180W
封装形式:TO-263(D2PAK)
SEHC23FP24V1UB具备以下显著特性:
1. 低导通电阻:其3.5mΩ的典型导通电阻能够减少导通时的能量损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力:通过优化设计,该芯片可以实现更快的开关速度,降低开关过程中的能量损失。
3. 热稳定性强:良好的散热性能确保了在高温环境下依然保持稳定运行。
4. 高可靠性:经过严格测试,保证长时间使用的安全性与一致性。
5. 耐浪涌电流能力强:支持高达160A的脉冲电流,适用于需要承受瞬时大电流冲击的场合。
SEHC23FP24V1UB广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器和工业电源等。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. DC-DC转换器:作为核心功率开关元件。
4. 汽车电子:如车载充电器、LED驱动器以及电池管理系统。
5. 工业自动化设备:为各类工业控制电路提供高效的功率切换解决方案。
SEHC23FP24V1TB, IRFZ44N, FDP5500