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SH21B221K250CT 发布时间 时间:2025/7/1 2:45:47 查看 阅读:14

SH21B221K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用 N 沟道增强型设计,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能量损耗并提升系统性能。
  该芯片适用于需要高效能和高可靠性的应用场合,其封装形式为 TO-220,这种封装方式有助于散热并适合各种工业应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:4.5mΩ
  总功耗:125W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

SH21B221K250CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 25A 的电流下仅为 4.5mΩ,这使得它能够在高负载条件下保持较低的功耗。
  2. 高效的热管理能力,得益于 TO-220 封装设计,可以有效地将热量传导到外部散热片。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗并提高整体效率。
  4. 强大的抗静电能力,确保了在复杂电磁环境中的可靠性。
  5. 宽广的工作温度范围,使其适合从低温工业设备到高温汽车电子的各种应用场景。

应用

该功率 MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),例如适配器、充电器以及工业用电源模块。
  2. DC-DC 转换器,在电动汽车、通信基站等对效率要求较高的场合。
  3. 电机驱动,用于家用电器、工业控制及自动化设备。
  4. 照明系统,如 LED 驱动电路,可提供稳定的电流输出。
  5. 各种保护电路,例如过流保护、短路保护等功能实现。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF10
  FDP5800

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SH21B221K250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.14050卷带(TR)
  • 系列SH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级-
  • 应用Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-