时间：2025/7/1 2:45:47
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SH21B221K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用 N 沟道增强型设计，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能量损耗并提升系统性能。
该芯片适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，其封装形式为 TO-220，这种封装方式有助于散热并适合各种工业应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
SH21B221K250CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 25A 的电流下仅为 4.5mΩ，这使得它能够在高负载条件下保持较低的功耗。
2. 高效的热管理能力，得益于 TO-220 封装设计，可以有效地将热量传导到外部散热片。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提高整体效率。
4. 强大的抗静电能力，确保了在复杂电磁环境中的可靠性。
5. 宽广的工作温度范围，使其适合从低温工业设备到高温汽车电子的各种应用场景。
该功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，例如适配器、充电器以及工业用电源模块。
2. DC-DC 转换器，在电动汽车、通信基站等对效率要求较高的场合。
3. 电机驱动，用于家用电器、工业控制及自动化设备。
4. 照明系统，如 LED 驱动电路，可提供稳定的电流输出。
5. 各种保护电路，例如过流保护、短路保护等功能实现。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP5800
