NCV1413BDR2是一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列集成电路,由安森美半导体(现为ON Semiconductor)生产。该芯片广泛应用于需要高电流驱动能力的场合,例如继电器、LED显示器、步进电机和工业控制系统。NCV1413BDR2内部集成了7个达林顿对管,每个通道能够提供高达500mA的持续电流,并且具备较高的耐压能力(最高可达50V)。该器件采用16引脚SOIC或DIP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),具有较高的可靠性和稳定性。
制造商: ON Semiconductor
类型: 达林顿晶体管阵列
封装类型: SOIC-16 / DIP-16
达林顿对数量: 7
最大集电极-发射极电压(Vce): 50V
最大集电极电流(Ic): 500mA/通道
最大功耗: 625mW(SOIC)或1W(DIP)
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
NCV1413BDR2的核心优势在于其高电流驱动能力和高耐压特性,每个达林顿对管的电流增益极高,能够以微弱的输入信号控制较大的负载电流。该器件内置反向电压保护二极管,有效防止感性负载引起的电压尖峰损坏晶体管。此外,NCV1413BDR2具有良好的热稳定性和过载保护能力,确保在严苛环境下仍能稳定运行。其多通道设计也简化了电路布局,减少了外围元件的数量,提高了系统的集成度和可靠性。
该芯片还具备较强的抗干扰能力,输入端兼容TTL和CMOS电平,方便与各种微控制器或逻辑电路连接。同时,NCV1413BDR2的封装设计便于散热,尤其适合高密度PCB布局和自动化装配工艺。由于其广泛的应用兼容性和出色的电气性能,NCV1413BDR2在工业自动化、汽车电子、照明控制等领域有着重要的地位。
NCV1413BDR2主要应用于需要高电流驱动能力的场景,例如驱动继电器、直流电机、LED显示屏、步进电机、固态继电器、工业控制设备以及汽车电子系统等。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于户外设备、自动化生产线和嵌入式控制系统。
ULN1413, ULN1414, NCV1414BDR2