时间：2025/7/2 17:52:29
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SH21B221K201CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而提升了整体系统的效率和可靠性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其工作电压范围宽广，能够适应多种电路设计需求。此外，它还具备快速开关速度和良好的热性能，非常适合对效率和散热要求较高的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压（Vds）：650V
最大栅源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
总栅极电荷（Qg）：65nC
输入电容（Ciss）：2390pF
输出电容（Coss）：105pF
反向传输电容（Crss）：54pF
功耗（Pd）：175W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高电压耐受能力（650V），适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 良好的热性能，确保在高电流负载下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 小型封装设计，节省电路板空间。
7. 可靠性高，适合长时间连续工作的工业级应用。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动器
3. 太阳能逆变器
4. 电动工具
5. LED 照明驱动
6. 工业自动化设备
7. 电池充电器
8. 电动车动力系统
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