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SH21B221K201CT 发布时间 时间:2025/7/2 17:52:29 查看 阅读:44

SH21B221K201CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,从而提升了整体系统的效率和可靠性。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其工作电压范围宽广,能够适应多种电路设计需求。此外,它还具备快速开关速度和良好的热性能,非常适合对效率和散热要求较高的应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源极电压(Vds):650V
  最大栅源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
  总栅极电荷(Qg):65nC
  输入电容(Ciss):2390pF
  输出电容(Coss):105pF
  反向传输电容(Crss):54pF
  功耗(Pd):175W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高电压耐受能力(650V),适用于高压应用场景。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗。
  4. 良好的热性能,确保在高电流负载下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 小型封装设计,节省电路板空间。
  7. 可靠性高,适合长时间连续工作的工业级应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动器
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动工具
  5. LED 照明驱动
  6. 工业自动化设备
  7. 电池充电器
  8. 电动车动力系统

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF50
  FDP15U65A
  IXTH18N65L2

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SH21B221K201CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.17548卷带(TR)
  • 系列SH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压,软端接
  • 等级-
  • 应用SMPS 滤波,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-