时间：2025/8/11 1:27:35
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HF8N65是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的开关应用。这款MOSFET的耐压值为650V，最大漏极电流为8A，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和各种高电压开关电路。HF8N65采用了高压工艺技术，确保在高电压环境下依然具备良好的导通性能和开关特性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.75Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
HF8N65具有优异的高压耐受能力和稳定的导通性能，能够在高电压条件下保持较低的导通损耗。其导通电阻低至0.75Ω，有助于减少工作时的功耗并提高整体效率。
此外，HF8N65的封装形式为TO-220，这种封装具备良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的应用场景。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，确保在不同驱动条件下都能实现可靠的导通和关断。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和使用寿命。
HF8N65广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及高电压开关控制电路。由于其高耐压和大电流能力，HF8N65特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业电源系统和消费类电子产品电源模块。
此外，HF8N65也可用于LED驱动电源、充电器、变频器等应用，作为主开关器件使用，提供高效的功率控制方案。
FQP8N65C, IRF8N65C, STF8N65M
