时间：2025/7/3 21:40:17
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SH18N180J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为 180V，适用于各种工业和消费类电子应用，特别是在需要高效能功率转换和控制的场景中表现突出。
SH18N180J500CT 的封装形式通常为 TO-220 或类似的标准功率封装，这种封装能够提供良好的散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：95nC（最大值）
输入电容：2340pF
总耗散功率：150W（在壳温 25°C 下）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
开关时间：开启延迟时间 28ns，上升时间 14ns；关断延迟时间 20ns，下降时间 30ns
SH18N180J500CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性良好，能够在宽泛的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
6. 可靠的电气隔离特性，确保长期使用中的安全性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效的功率转换。
2. 电机驱动和控制，例如家用电器中的风扇或泵。
3. 太阳能逆变器系统中的功率调节。
4. 电池管理系统 (BMS)，实现充放电保护功能。
5. 工业自动化设备中的负载切换和电源管理。
6. 各种负载开关和保护电路，如过流保护和短路保护。
STP50NF180,
IRF540N,
FDP55N18,
IXFN50N180T
